Transistörler - IGBT - Tekil
IKD10N60RC2ATMA1
IKD10N60RC2ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD10N60RC2
IKD10N60RC2ATMA1 Hakkında
IKD10N60RC2ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 18.8A (darbe akımı 30A) taşıma kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 79W maksimum güç ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolünde, LED sürücülerinde ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük iletim kaybı (2.3V @ 10A) ve hızlı anahtarlama özellikleri (14ns on-time, 250ns off-time) ile enerji verimliliği sağlar. 48nC gate charge ve 320µJ on-switching enerji değerleri optimize edilmiş kontrol devrelerini mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18.8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 48 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 79 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 104 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 320µJ (on), 170µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/250ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 49Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok