Transistörler - IGBT - Tekil

IKD10N60RATMA1

IGBT 600V 20A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IKD10N60RATMA1

IKD10N60RATMA1 Hakkında

IKD10N60RATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/20A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 15V gate sürüş voltajında 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 64nC gate şarj ve 14ns/192ns on/off gecikmesi sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. İnverter, motor kontrol, güç kaynağı ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sıcaklık aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 30 A
Gate Charge 64 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 150 W
Supplier Device Package PG-TO252-3
Switching Energy 210µJ (on), 380µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 14ns/192ns
Test Condition 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok