Transistörler - IGBT - Tekil
IKD10N60RAATMA2
IGBT 600V 20A 150W TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD10N60RA
IKD10N60RAATMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKD10N60RAATMA2, 600V kollektör-emitör breakdown voltajı ile çalışan bir Trench IGBT transistördür. 20A maksimum kollektör akımı ve 150W güç kapasitesi ile orta seviye güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, standart giriş tipinde kontrol gerektiren endüstriyel dönüştürücü, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, zorlu ortam koşullarında kullanım imkanı sağlar. 62ns ters kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. (Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur - Obsolete)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 64 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 62 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/192ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok