Transistörler - IGBT - Tekil
IKD10N60R
IGBT 600V 20A 150W TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD10N60R
IKD10N60R Hakkında
IKD10N60R, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/20A IGBT transistördür. Trench teknolojisi kullanan bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketine sahip olan komponent, güç dönüştürme, motor kontrolü, kaynak makineleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. 150W maksimum güç kapasitesi ile çalışan transistör, 2.1V Vce(on) değeri ve 62ns ters kurtarma süresi sayesinde düşük kayıplarla yüksek verimli anahtarlama sağlar. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Not: Bu ürün artık kullanımdan kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 64 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 62 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Switching Energy | 590µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/192ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok