Transistörler - IGBT - Tekil
IKD08N65ET6ARMA1
IKD08N65ET6ARMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD08N65ET6
IKD08N65ET6ARMA1 Hakkında
IKD08N65ET6ARMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 15A sürekli kolektör akımı (pulse'da 25A) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme, motor kontrol uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve güç kaynakları gibi orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.9V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 110µJ açılış ve 40µJ kapanış enerjisi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile +175°C aralığında çalışabilen komponent endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur. Maksimum 47W güç seviyesinde çalıştırılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 25 A |
| Gate Charge | 17 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 47 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 43 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 110µJ (on), 40µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/59ns |
| Test Condition | 400V, 5A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok