Transistörler - IGBT - Tekil
IKD06N65ET6ARMA1
IKD06N65ET6ARMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD06N65ET
IKD06N65ET6ARMA1 Hakkında
IKD06N65ET6ARMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 9A DC ve 18A pulsed kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 31W güç dağıtabilir ve -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır. 1.9V VCE(on) düşüşü ve 13.7nC gate charge değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Switching energy değerleri on için 60µJ, off için 30µJ olarak belirtilmiştir. 30ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri ve DC/DC dönüştürücülerde yer almaktadır. Part status 'Not For New Designs' olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 13.7 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 31 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 60µJ (on), 30µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/35ns |
| Test Condition | 400V, 3A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok