Transistörler - IGBT - Tekil
IKD06N60RFATMA1
IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD06N60RFATMA1
IKD06N60RFATMA1 Hakkında
IKD06N60RFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/12A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevi görür. Maksimum gate charge değeri 48 nC olup, reverse recovery time 48 ns'dir. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 6A akımda 2.5V'tur. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, 100W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. Switching energy değerleri on/off için sırasıyla 90µJ/90µJ'dür. Düşük Td(on) ve Td(off) zamanları (7ns/106ns) hızlı anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 48 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 48 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 90µJ (on), 90µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 7ns/106ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok