Transistörler - IGBT - Tekil
IKD06N60RFAATMA1
IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD06N60RF
IKD06N60RFAATMA1 Hakkında
IKD06N60RFAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistördür. Maksimum 12A collector akımı ve 100W güç yönetim kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, inverter, motor kontrol ve UPS sistemlerinde özellikle tercih edilmektedir. 2.5V sabit açılış gerilimi ile düşük konvejsiyon kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Reverse recovery time'ı 48ns olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 48 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 48 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 90µJ (on), 90µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 8ns/105ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok