Transistörler - IGBT - Tekil
IKD06N60RC2ATMA1
IKD06N60RC2ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD06N60RC2ATMA1
IKD06N60RC2ATMA1 Hakkında
IKD06N60RC2ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 11.7A sürekli collector akımı ve 18A darbe collector akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 2.3V Vce(on) doyma gerilimi ve 31nC kapı yükü ile düşük kayıplar sağlar. Switching energy değerleri 170µJ (açılış) ve 80µJ (kapanış) olup hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç dönüştürme ve SMPS devreleri gibi uygulamalarda kullanılan standart giriş tipi IGBT bileşenidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 11.7 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 31 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 51.7 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 98 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 170µJ (on), 80µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 6ns/129ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 49Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok