Transistörler - IGBT - Tekil
IKD06N60RATMA1
IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD06N60RA
IKD06N60RATMA1 Hakkında
IKD06N60RATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 12A IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) kasa tipi ile sunulmaktadır. 48 nC gate charge ve 2.1V max. Vce(on) değerleri sayesinde düşük ön kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 100W güç kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 68 ns reverse recovery time ve 110µJ on-switching enerji değerleri, yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde verimli performans sağlar. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, ince film güç kaynakları ve motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 48 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 68 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 110µJ (on), 220µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/127ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok