Transistörler - IGBT - Tekil
IKD06N60RAATMA2
IGBT 600V 12A 100W TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD06N60RA
IKD06N60RAATMA2 Hakkında
IKD06N60RAATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 12A sürekli collector akımı ve 18A pulse akımı ile çalışabilmektedir. 100W güç kapasitesine sahip olan transistör, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC/DC konvertörlerde ve güç kaynakları tasarımında kullanılır. 48nC gate charge ve 127ns kapatma gecikmesi (Td off) ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı gösterir. Standart input türü ve Surface Mount montajı ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 48 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 68 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/127ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok