Transistörler - IGBT - Tekil
IKD06N60R
IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD06N60R
IKD06N60R Hakkında
IKD06N60R, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/12A kapasiteli Trench IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 48 nC gate charge ve 100W maksimum güç yeteneğine sahiptir. -40°C ile +175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 6A akım için 2.1V olarak belirlenmiştir. 68 ns reverse recovery time ve 330µJ switching energy özellikleri ile güç dönüştürücü, motor kontrol ve fotovoltaik sistemleri gibi anahtarlamaya dayalı elektrik devrelerine uygundur. Pulsed collector akımı 18A'e kadar çıkabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 48 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 68 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 330µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/127ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok