Transistörler - IGBT - Tekil
IKD04N60RFATMA1
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD04N60RF
IKD04N60RFATMA1 Hakkında
IKD04N60RFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 8A kapasiteli Trench tipi IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 27 nC gate charge ve 60µJ/50µJ switching energy değerleriyle kompakt tasarımlar için uygundur. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında, maksimum 75W güç tüketebilir. 34 ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol, ışık denetimi ve endüstriyel konvertör uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 27 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 60µJ (on), 50µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/116ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 43Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok