Transistörler - IGBT - Tekil
IKD04N60RFAATMA1
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD04N60RFAATMA1
IKD04N60RFAATMA1 Hakkında
IKD04N60RFAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, maksimum 8A sabit kolektör akımı ve 12A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 75W güç yeteneği ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 4A akımda 2.5V'tur. 27nC gate yükü ve 60µJ açılış / 50µJ kapanış anahtarlama enerjisi ile düşük kayıplı devreler tasarlanabilir. -40°C ile 175°C aralığında çalışabilir. Endüstriyel sürücüler, adaptörler ve SMPS uygulamalarında tercih edilir. Part Status olarak yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 27 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 75 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 60µJ (on), 50µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/116ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 43Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok