Transistörler - IGBT - Tekil
IKD04N60RC2ATMA1
IKD04N60RC2ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD04N60RC2
IKD04N60RC2ATMA1 Hakkında
IKD04N60RC2ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 600V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 8A (pulse'de 12A) collector akımına ve 36.6W gücüne sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj pakajında sunulan bu bileşen, -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 24nC gate charge ve 80ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Güç dönüştürücü, motor kontrolü, endüstriyel sürücü ve anahtarlama power supply uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 24 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 36.6 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 100µJ (on), 40µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 4ns/90ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 49Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok