Transistörler - IGBT - Tekil
IKD04N60RBTMA1
IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD04N60RB
IKD04N60RBTMA1 Hakkında
IKD04N60RBTMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistördür. Anti-parallel diyot içermeyen bu bileşen, maksimum 8A sürekli ve 12A darbe kollektör akımında çalışabilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında işletilir. 27nC kapı yükü ve 43ns geri kazanım zamanı özellikleriyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V açık durumu voltajı (15V gate sürüsü, 4A akımda) ve 75W maksimum güç derecelendirmesiyle güç dönüştürme, motor kontrolü ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 27 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 43 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Switching Energy | 240µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/146ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 43Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok