Transistörler - IGBT - Tekil
IKD04N60RAATMA1
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD04N60RA
IKD04N60RAATMA1 Hakkında
IKD04N60RAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 8A kapasiteli Trench IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 75W maksimum güç seviyesinde çalışabilen transistör, -40°C ile 175°C arasındaki sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. 27nC gate charge ve 14ns/146ns açılış/kapanış zamanı ile enerji verimli devre tasarımlarında yer alır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 4A collector akımında 2.1V'tur. Reverse recovery time 43ns olup, switching energy ise 90µJ (açılış) ve 150µJ (kapanış) seviyesindedir. Ürün aşamalı olarak üretim dışı bırakılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Gate Charge | 27 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 75 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 43 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 90µJ (on), 150µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/146ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 43Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok