Transistörler - IGBT - Tekil
IKD03N60RFATMA1
IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD03N60RFATMA1
IKD03N60RFATMA1 Hakkında
IKD03N60RFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V kollektör-emiter breakdown voltajına sahip bir Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 6.5A maksimum kolektör akımı ve 7.5A pulse akımı kapasitesine sahip olan bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 17.1nC gate yükü ve 50µJ on / 40µJ off switching enerji değerleriyle düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve AC/DC kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 2.5V(on) saturation voltajı ve 31ns reverse recovery time ile verimli performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6.5 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 7.5 A |
| Gate Charge | 17.1 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 53.6 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 50µJ (on), 40µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 10ns/128ns |
| Test Condition | 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 2.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok