Transistörler - IGBT - Tekil
IKD03N60RFAATMA1
IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD03N60RFAA
IKD03N60RFAATMA1 Hakkında
IKD03N60RFAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/5A IGBT transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Maksimum 53.6W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 17.1nC gate charge ve 31ns reverse recovery time özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. 2.5V @ 15V, 2.5A ile tanımlanan Vce(on) değerine sahiptir. Endüstriyel kontrol, motor sürücü, güç kaynağı ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılan bir IGBT çözümüdür. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 7.5 A |
| Gate Charge | 17.1 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 53.6 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 50µJ (on), 40µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 10ns/128ns |
| Test Condition | 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 2.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok