Transistörler - IGBT - Tekil
IKB40N65ES5ATMA1
40A 650V TRENCHSTOP5 MEDIUM SPEE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKB40N65ES5
IKB40N65ES5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKB40N65ES5ATMA1, 650V çalışma gerilimi ile tasarlanmış Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 40A nominal kolektör akımı ve 160A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında düşük geçiş kayıpları sağlar. 95nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliği sunar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde tedarik edilen transistör, -40°C ile 175°C arasında çalışır. 230W maksimum güç saçabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürme ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 1.74V Vce(on) değeri ile verimli çalışma karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 79 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 95 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 230 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 73 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 860µJ (on), 400µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/130ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.74V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok