Transistörler - IGBT - Tekil
IKB40N65EH5ATMA1
40A 650V TRENCHSTOP5 FAST H5 IGB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKB40N65EH5
IKB40N65EH5ATMA1 Hakkında
IKB40N65EH5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40A 650V TRENCHSTOP5 FAST H5 IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış olan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 250W maksimum güç kapasitesi ve 160A puls akımı ile güç dönüştürme devrelerinde, inverter uygulamalarında, motor kontrol sistemlerinde ve kaynak makinelerinde tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 74 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 95 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 78 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 1.1mJ (on), 400µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/157ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 15Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok