Transistörler - IGBT - Tekil
IKB40N65EF5ATMA1
IKB40N65 - INDUSTRY 14
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKB40N65
IKB40N65EF5ATMA1 Hakkında
IKB40N65EF5ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/74A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 95 nC gate charge ve 2.1V on-state voltajı ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 250W maksimum güç dağıtımı ve 83ns reverse recovery time özellikleriyle güç elektronik uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrolü ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel sistemlerde kullanılır. 22ns açılış ve 160ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama yanıtı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 74 A |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 95 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power - Max | 250 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 83 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 420µJ (on), 100µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/160ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 15Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok