Transistörler - IGBT - Tekil
IKB30N65ES5ATMA1
IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKB30N65ES5ATMA1
IKB30N65ES5ATMA1 Hakkında
IKB30N65ES5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/62A IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanarak imalatlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum darbe collector akımı 120A, gate charge değeri 70nC olup, 75ns reverse recovery time özelliğine sahiptir. Anahtarlama enerjileri 560µJ (açılış) ve 320µJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 188W maksimum güç kapasite sunmaktadır. 1.7V Vce(on) değeri 15V gate voltajında 30A collector akımında ölçülmüştür. Güç elektroniği uygulamalarında, inverter, motor kontrol ve anahtarlama güç kaynağı tasarımlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 62 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 70 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 188 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 560µJ (on), 320µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/124ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 13Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok