Transistörler - IGBT - Tekil
IKB30N65EH5ATMA1
IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKB30N65EH5ATMA1
IKB30N65EH5ATMA1 Hakkında
IKB30N65EH5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisine dayalı bu bileşen, maksimum 55A sürekli akım ve 90A darbe akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 188W güç dissipasyonuna ve -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük gate charge (70nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri (on: 24ns, off: 159ns) ile güç dönüştürücüsü uygulamalarında, invertörler, motor sürücüleri ve kaynak cihazlarında kullanılır. 2.1V düşük Vce(on) değeri ısıl performansı iyileştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 70 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 188 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 870µJ (on), 300µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 24ns/159ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok