Transistörler - IGBT - Tekil
IKB20N65EH5ATMA1
INDUSTRY 14
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKB20N65EH5
IKB20N65EH5ATMA1 Hakkında
IKB20N65EH5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 38A maksimum collector akımı ve 60A pulslu akımı ile düşük anahtarlama kaybı için tasarlanmıştır. 125W güç kapasitesi ile switching uygulamalarında kullanılır. 48nC gate charge ve 160ns turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -40°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığında stabildir. Surface mount TO-263 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 38 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 48 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 125 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 560µJ (on), 130µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/160ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 32Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok