Transistörler - IGBT - Tekil
IKB20N60H3ATMA1
IGBT 600V 40A 170W TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKB20N60H3
IKB20N60H3ATMA1 Hakkında
IKB20N60H3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 40A IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, 170W maksimum güç dağıtabilir ve -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 120nC gate charge ve 112ns reverse recovery time ile, endüstriyel sürücüler, invertör uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 16ns açılış ve 194ns kapanış süreleri ile hızlı komütasyona olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 120 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 170 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 112 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 690µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/194ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok