Transistörler - IGBT - Tekil
IKB15N65EH5ATMA1
INDUSTRY 14
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKB15N65EH5
IKB15N65EH5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKB15N65EH5ATMA1, 650V Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir tekil IGBT transistördür. 30A maksimum kolektör akımı ve 45A pulslu akım kapasitesi ile elektrik dönüştürme ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 105W maksimum güç dağıtımı ile özellikle endüstriyel denetçiler, güç kaynakları, solar inverter ve elektrikli araç sürücülerinde tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. 38nC Gate Charge ve 400µJ açılış/80µJ kapanış switching enerjisi ile enerji verimliliğine odaklanmış tasarımlarda kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 38 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 105 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Switching Energy | 400µJ (on), 80µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/145ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 39Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok