Transistörler - IGBT - Tekil
IKB03N120H2ATMA1
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKB03N120H2
IKB03N120H2ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKB03N120H2ATMA1, 1200V kolektör-emiter breakdown voltajına ve 9.6A maksimum kolektör akımına sahip bir IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 62.5W güç yönetimi kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 22nC gate charge ve 9.2ns/281ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Vce(on) 2.8V @ 15V, 3A koşullarında ölçüldüğünde düşük iletim kaybı gösterir. 42ns ters kurtarma süresi ile güç elektronikleri, motor sürücüler ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9.6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.9 A |
| Gate Charge | 22 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 62.5 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Switching Energy | 290µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 9.2ns/281ns |
| Test Condition | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok