Transistörler - IGBT - Tekil
IKA08N65ET6XKSA1
HOME APPLIANCES 14
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKA08N65ET6
IKA08N65ET6XKSA1 Hakkında
IKA08N65ET6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Maksimum 11A kolektör akımı ve 25A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, ev aletleri uygulamalarında anahtarlama görevleri için tasarlanmıştır. 33W maksimum güç dağıtımı, 1.9V on-state voltajı ve 17nC gate charge değerleri ile açılıp kapanma işlemlerinde verimli çalışmaktadır. -40°C ile +175°C arasında güvenli bir şekilde kullanılabilir. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 11 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 25 A |
| Gate Charge | 17 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 33 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 43 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-FP |
| Switching Energy | 110µJ (on), 40µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/59ns |
| Test Condition | 400V, 5A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok