Transistörler - IGBT - Tekil
IHW50N65R5XKSA1
IGBT 650V 80A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IHW50N65R5
IHW50N65R5XKSA1 Hakkında
IHW50N65R5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Collector-Emitter kırılma voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 80A sürekli collector akımı kapasitesine ve 150A pulse akımı desteğine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, inverter devrelerinde ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. 282W maksimum güç kapasitesi ve 1.7V @ 15V, 50A collector-emitter ileri voltajı (Vce(on)) ile verimli çalışma sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama ortamlarını destekler. 26ns açılış (Td on) ve 220ns kapanış (Td off) gecikmesi hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 230 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 282 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 740µJ (on), 180µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/220ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok