Transistörler - IGBT - Tekil
IHW40N65R6XKSA1
HOME APPLIANCES 14 PG-TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IHW40N65R6
IHW40N65R6XKSA1 Hakkında
IHW40N65R6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT transistörüdür. Maksimum 83A collector akımı ve 120A pulse akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 through hole paketinde sunulan bu komponent, 210W maksimum güç yönetebilir. -40°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığına dayanıklı olup, ev aletleri, endüstriyel uygulamalar ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 159nC gate charge, 99ns reverse recovery time ve 1.6V @ 15V, 40A Vce(on) değerleriyle verimli anahtarlama özellikleri sunar. 400V, 40A, 10Ohm, 15V test koşullarında karakterize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 83 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 159 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 210 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 99 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 1.1mJ (on), 420µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/211ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok