Transistörler - IGBT - Tekil
IHW30N65R6XKSA1
HOME APPLIANCES 14 PG-TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IHW30N65R6
IHW30N65R6XKSA1 Hakkında
IHW30N65R6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 65A DC kollektör akımı (90A pulslu) kapasitesine sahiptir. 163W güç dağılımına ve 400V/30A/10Ohm test koşullarında 1.6V maksimum Vce(on) gerilimine sahip olup, geniş -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Elektrik süpürgeleri, fırınlar ve diğer ev aletleri gibi AC/DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 120nC gate charge ve düşük anahtarlama enerjisi (730µJ on, 260µJ off) ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 120 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 163 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 730µJ (on), 260µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/161ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok