Transistörler - IGBT - Tekil
IHW30N100R
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IHW30N100R
IHW30N100R Hakkında
IHW30N100R, Infineon Technologies tarafından üretilen 1000V 60A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 412W maksimum güç dissipasyonu ve 846ns kapalı durumda geçiş zamanı ile endüstriyel şalter kaynakları, klima kompresörleri, elektrikli araç motor denetleyicileri ve UPS sistemlerinde yer alır. Maksimum collector-emitter gerilimi 1000V, gate yükü 209nC ve Vce(on) değeri 1.7V @ 15V, 30A'dir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Bileşen Infineon tarafından üretilmemekte olup eski üretim lotlarında bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 209 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 412 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Switching Energy | 2.1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/846ns |
| Test Condition | 600V, 30A, 26Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok