Transistörler - IGBT - Tekil
IHW25N120E1XKSA1
IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IHW25N120E1
IHW25N120E1XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IHW25N120E1XKSA1, 1200V kolektör-emiter kesintisiz voltajına sahip NPT/Trench teknolojisine dayalı bir IGBT transistördür. 50A maksimum kolektör akımı (75A darbe akımı) ile tasarlanan bu bileşen, güç dönüştürme, inverter devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 through-hole paketi ile montajlanmakta olup, -40°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. 2V maksimum gate-emiter açılış voltajı (Vce(on)) ve 147nC gate yükü özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama işlemi sağlar. 231W maksimum güç dağılım kapasitesi ile orta ila yüksek güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Gate Charge | 147 nC |
| IGBT Type | NPT and Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 231 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 800µJ (off) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok