Transistörler - IGBT - Tekil
IHW20N65R5XKSA1
IGBT 650V 40A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IHW20N65R5
IHW20N65R5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IHW20N65R5XKSA1, 650V Collector-Emitter gerilim sınırı ve 40A maksimum kolektör akımı ile çalışan yalıtım tabakası bipolar transistöründür (IGBT). TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 150W maksimum güç kapasitesi ve 97nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon karakteristiği sunar. -40°C ile +175°C arasında güvenli şekilde çalışabilen bu transistör, endüstriyel şebekeler, motor kontrol uygulamaları, inverter devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 97 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 68 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 300µJ (on), 70µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 24ns/250ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 20Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok