Transistörler - IGBT - Tekil
IHW20N135R5XKSA1
IGBT 1350V 40A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IHW20N135R5
IHW20N135R5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IHW20N135R5XKSA1, 1350V breakdown voltajında çalışan yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 40A DC akım ve 60A pulse akım kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 170nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunmakta, 235ns off-delay süresi ile yüksek frekans işlemlerine uygun tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında stabil çalışır. İnverter, konverter, kaynak makineleri ve endüstriyel motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 170 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 288 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 950µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | -/235ns |
| Test Condition | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok