Transistörler - IGBT - Tekil

IHW20N120R5XKSA1

IGBT 1200V 40A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IHW20N120R5

IHW20N120R5XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IHW20N120R5XKSA1, 1200V kesme voltajına ve 40A sürekli collector akımına sahip yüksek voltaj IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, kaynak makineleri, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve enerji dönüştürücülerde kullanılır. 1.75V Vce(on) seviyesi ile düşük açık durum kaybına sahiptir. -40°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 170nC gate charge ve 260ns kapalı duruma geçiş zamanı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 288W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 60A darbe collector akımı desteği ile sağlam bir tasarım tercihidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 40 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
Gate Charge 170 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 288 W
Supplier Device Package PG-TO247-3
Switching Energy 750µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C -/260ns
Test Condition 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok