Transistörler - IGBT - Tekil
IHD10N60RA
IGBT 600V 20A 110W TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IHD10N60RA
IHD10N60RA Hakkında
IHD10N60RA, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistördür. 20A sürekli kolektör akımı ve 30A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 110W maksimum güç yeteneği ve 1.9V(max) Vce(on) değeri ile DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate Charge 62nC, Switching Energy 270µJ olarak belirtilmiştir. Bileşen obsolete statüsünde bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 62 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 110 W |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Switching Energy | 270µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | -/170ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok