Transistörler - IGBT - Tekil
IGZ75N65H5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGZ75N65H5XKSA1
IGZ75N65H5XKSA1 Hakkında
IGZ75N65H5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench IGBT transistörüdür. TO-247-4 pakette sunulan bu bileşen, maksimum 119A sürekli kollektör akımı ve 300A darbe akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 395W maksimum güç dissipasyon yeteneğine sahip olan transistör, anahtarlama uygulamaları, konvertörler, invertörler ve motor sürücü devreleri gibi endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 2.1V Vce(on) değeri ve düşük anahtarlama enerjisi (680µJ açılış, 430µJ kapanış) sayesinde verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 119 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 166 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 395 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Switching Energy | 680µJ (on), 430µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/347ns |
| Test Condition | 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok