Transistörler - IGBT - Tekil
IGZ50N65H5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGZ50N65H5XKSA1
IGZ50N65H5XKSA1 Hakkında
IGZ50N65H5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench IGBT transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 85A sürekli kolektör akımı ve 200A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 273W güç dağıtabilir ve -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır. 2.1V düşük VCE(on) değeri sayesinde verimli anahtarlama performansı sunar. Switching energy değerleri on için 410µJ, off için 190µJ'dir. 109nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve elektrik pil yönetim sistemleri gibi yüksek güç uygulamalarında kullanılan endüstriyel seviye bir IGBT çözümüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 109 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 273 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Switching Energy | 410µJ (on), 190µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/250ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok