Transistörler - IGBT - Tekil
IGW75N65H5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGW75N65H5
IGW75N65H5XKSA1 Hakkında
IGW75N65H5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 120A sürekli kolektör akımı ve 300A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V kapı gerilimi ve 75A akımda 2.1V'dir. Switching energy değerleri 2.25mJ (açılış) ve 950µJ (kapanış) olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Bu IGBT, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, kaynak makinaları ve inverter uygulamalarında kullanılır. Through hole montajı ile kalıcı bağlantı sağlar. Maksimum 395W güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 160 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 395 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 2.25mJ (on), 950µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 28ns/174ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok