Transistörler - IGBT - Tekil

IGW50N65H5FKSA1

IGBT 650V 80A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IGW50N65H5

IGW50N65H5FKSA1 Hakkında

IGW50N65H5FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/80A kapasiteli IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 305W güç tüketimine sahiptir. 80A nominal ve 150A pulslu kolektör akımı ile tasarlanmıştır. -40°C ile +175°C arasında güvenilir çalışır. Gate charge 120nC ile düşük geçiş kayıpları sağlar. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 2.1V'tur. Switching energy değerleri (on: 520µJ, off: 180µJ) ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Endüstriyel uygulamalarda, güç elektronikleri devrelerinde, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
Gate Charge 120 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 305 W
Supplier Device Package PG-TO247-3
Switching Energy 520µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 21ns/180ns
Test Condition 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok