Transistörler - IGBT - Tekil
IGW50N65F5AXKSA1
IGBT 650V TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGW50N65F5
IGW50N65F5AXKSA1 Hakkında
IGW50N65F5AXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80A sürekli ve 150A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 270W güç derecelendirmesi ile orta-güç uygulamalarında kullanılır. 108nC gate charge değeri ile nispeten hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 2.1V olup, verimli bir çalışma karakteristiği sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel sürücüler, enerji dönüşüm sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Ürün mevcut durumda üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 108 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 270 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 490µJ (on), 140µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/156ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok