Transistörler - IGBT - Tekil
IGW40N65F5FKSA1
IGBT 650V 74A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGW40N65F5FKSA1
IGW40N65F5FKSA1 Hakkında
IGW40N65F5FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/74A kapasiteli Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) entegre devresidir. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında yüksek voltaj ve akım kontrolü için tasarlanmıştır. 255W maksimum güç kapasitesi ve 120A atımlı akım özelliğine sahiptir. Switching Energy değerleri (ON: 360µJ, OFF: 100µJ) ve hızlı switching süreleri (Td on: 19ns, Td off: 160ns) ile güç elektroniği devrelerinde verimli çalışma sağlar. -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel motor sürücüler, kaynak cihazları, UPS sistemleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 74 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 95 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 255 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 360µJ (on), 100µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/160ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 15Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok