Transistörler - IGBT - Tekil

IGW30N60H3

IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IGW30N60

IGW30N60H3 Hakkında

IGW30N60H3, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop IGBT transistördür. Maksimum 60A sürekli akım ve 120A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 600V collector-emitter kırılma gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama kaybı özellikleriyle güç elektronik devreleri, motor kontrol sistemleri ve elektrik çevirici uygulamalarında tercih edilir. 165nC gate charge ve 21ns açılış, 207ns kapanış hızları ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -40°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır ve maksimum 187W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
Gate Charge 165 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 187 W
Supplier Device Package PG-TO247-3
Switching Energy 940µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 21ns/207ns
Test Condition 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok