Transistörler - IGBT - Tekil
IGP03N120H2
IGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGP03N120H2
IGP03N120H2 Hakkında
IGP03N120H2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 1200V yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 9.6A (Ic) kolektör akımı ve 9.9A (Icm) darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Gate charge değeri 22nC olup, Vce(on) başlangıç gerilimi 15V, 3A koşullarında 2.8V'tur. Switching energy 290µJ ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Maksimum 62.5W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9.6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.9 A |
| Gate Charge | 22 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 62.5 W |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Switching Energy | 290µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 9.2ns/281ns |
| Test Condition | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok