Transistörler - IGBT - Tekil
IGP01N120H2XKSA1
IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGP01N120H2XKSA1
IGP01N120H2XKSA1 Hakkında
Rochester Electronics tarafından üretilen IGP01N120H2XKSA1, 1200V çalışma gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 3.2A kolektör akımı ve 28W güç sınırlaması ile endüstriyel güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 8.6nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilen bu transistör, 13ns açılış ve 370ns kapanış zamanı sunmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösteren komponent, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük Vce(on) değeri (2.8V @ 15V, 1A) ile enerji kaybını minimize eden bu IGBT, switching energy değeri 140µJ olarak belirtilmiştir. Üretimi durdurulmuş (obsolete) parça olarak tanımlanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 3.5 A |
| Gate Charge | 8.6 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 28 W |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Switching Energy | 140µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/370ns |
| Test Condition | 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok