Transistörler - IGBT - Tekil
IGP01N120H2
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGP01N120H2
IGP01N120H2 Hakkında
IGP01N120H2, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistördür. TO-220-3 kasa tipinde sunulan bu bileşen, maksimum 3.2A sürekli collector akımı ve 3.5A darbe akımı ile çalışır. 28W maksimum güç derecelendirmesine ve -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 140µJ switching energy ve 13ns on-time, 370ns off-time değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında ve 1A collector akımında 2.8V'tur. Güç dönüştürme, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda kullanılan bu bileşen aktif parça statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 3.5 A |
| Gate Charge | 8.6 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 28 W |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Switching Energy | 140µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/370ns |
| Test Condition | 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok