Transistörler - FET, MOSFET - RF
IGN1214L500B
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
- Üretici
- Integra Technologies
- Paket/Kılıf
- PL95A1
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- IGN1214L500B
IGN1214L500B Hakkında
IGN1214L500B, Integra Technologies tarafından üretilen GaN tabanlı RF güç transistörüdür. HEMT (High Electron Mobility Transistor) teknolojisine dayanan bu bileşen, L-Band frekans aralığında (1.2GHz - 1.4GHz) yüksek verimli sinyal yükseltme işlemi gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 650W çıkış gücü ve 15dB kazanç karakteristiği ile radyo haberleşe, radar, uydu iletişimi ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılır. 160V nominal gerilim ratingi ve PL95A1 paket formatı ile yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalara uyarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 200 mA |
| Frequency | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| Gain | 15dB |
| Package / Case | PL95A1 |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 650W |
| Supplier Device Package | PL95A1 |
| Transistor Type | HEMT |
| Voltage - Rated | 160 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok