Transistörler - FET, MOSFET - RF
IGN1011L70
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
- Üretici
- Integra Technologies
- Paket/Kılıf
- PL32A2
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- IGN1011L70
IGN1011L70 Hakkında
IGN1011L70, Integra Technologies tarafından üretilen GaN HEMT tabanlı RF güç transistörüdür. L-band frekans aralığında (1.03-1.09 GHz) çalışmak üzere tasarlanmıştır. 80W çıkış gücü ve 22dB kazanç karakteristiğine sahip bu transistör, 50V test voltajında ve 120V nominal voltajda işletilmektedir. PL32A2 paket formatında sunulan komponent, 22mA test akımı ile çalışır. GaN teknolojisine dayalı HEMT yapısı sayesinde yüksek frekans uygulamalarında verimli performans sağlar. Telekomünikasyon, radar sistemleri ve diğer RF güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 22 mA |
| Frequency | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Gain | 22dB |
| Package / Case | PL32A2 |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 80W |
| Supplier Device Package | PL32A2 |
| Transistor Type | GaN HEMT |
| Voltage - Rated | 120 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok